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Disco Ssd Samsung 9100 Pro Heatsink M.2 4 Tb Nvme Mz-Vap4t0cw Pcie 5.0 X4,

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P/N:

MZ-VAP4T0CW

EAN:

8806095811659

Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-VAP4T0, 4 TB, M.2, 14800 MB/s

Puntos clave del producto

  • 4 TB M.2 PCI Express 5.0
  • Velocidad de lectura: 14800 MB/s 2200000 IOPS
  • Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: PC/Consola de videojuegos

Características

  • Versión NVMe: 2.0
  • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
  • SDD, capacidad: 4 TB
  • Factor de forma de disco SSD: M.2
  • Interfaz: PCI Express 5.0
  • NVMe: Si
  • Tipo de memoria: V-NAND TLC
  • Componente para: PC/Consola de videojuegos
  • Encriptación de hardware: Si
  • Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
  • Velocidad de lectura: 14800 MB/s
  • Velocidad de escritura: 13400 MB/s
  • Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
  • Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
  • Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
  • Función DevSleep: Si
  • Soporte S.M.A.R.T.: Si
  • Soporte TRIM: Si
  • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Control de energía

  • Voltaje de operación: 3,3 V
  • Consumo eléctrico promedio (lectura): 9 W
  • Consumo eléctrico promedio (escritura): 8,2 W

Peso y dimensiones

  • Ancho: 80,2 mm
  • Profundidad: 8,88 mm
  • Altura: 25 mm
  • Peso: 30 g

Empaquetado

  • Tipo de embalaje: Caja

Condiciones ambientales

  • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
  • Golpes en funcionamiento: 1500 G

Otras características

  • Periodo de garantía: 5 año(s)

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